Process and device simulation for MOS-VLSI circuits


Utgitt	Boston : Nijhoff , 1983
Omfang	XII,619 s. : fig., tab., diagr.
Opplysninger	"Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, SOGESTA, Urbino, Italy, July 12-23, 1982.". - Har bibliografi.
Emner	Integrerte kretser MOS-teknikk VLSI
ISBN	902472824X

Biblioteksøk